BSC027N03S G參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告： ProductDiscontinuation11/Dec/2009標(biāo)準(zhǔn)包裝：5,000系列：OptiMOS™包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：30V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：100A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：2.7毫歐@50A，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：2V@90µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：51nC@5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：6540pF@15V功率-最大值：89W安裝類型：表面貼裝封裝：8-PowerTDFN供應(yīng)商器件封裝：PG-TDSON-8（5.15x6.15）
